Different Generation of IGBTs and CM150DU-24F – SPANISH |
Posted: October 12, 2016 |
Los dispositivos IGBT de primera generación de la década de 1980 y principios de 1990 fueron relativamente de lenta en la conmutación, y con tendencia al fracaso a través de tales; como el modo seguro hacia arriba y la descomposición secundaria. La segunda generación de dispositivos mejoraron mucho, y las actuales de tercera generación son aún mejores, con MOSFETs de velocidad que rivalizan, y excelente resistencia a la tolerancia de las sobrecargas.
Sus cualidades de manejo como modulo son extremadamente altas, con un pulso preciso de los dispositivos de segunda y tercera generación que también los hacen útiles para generar grandes impulsos de energía en áreas como la física de partículas y el plasma, donde se están empezando a reemplazar a los dispositivos más antiguos, como tiratrones y chispas con disparo. Mitsubishi es uno de los principales proveedores de dispositivos IGBT de todo el mundo. Sus IGBTs son ampliamente utilizados en diversos aparatos. CM150DU-24F es una forma de transistores bipolares aislados Mitsubishi, que mantiene la misma calidad y rendimiento.
Descripción del producto:
Fosa de puerta Diseño de doble IGBTMOD 150 Amperios / 1200 voltios. Cada módulo consta de dos transistores IGBT en una configuración de medio puente con cada transistor que tiene una recuperación muy rápida del diodo de rueda libre conectado inversa. Todos los componentes e interconexiones AR
100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA Ficha de datos Marca Mitsubishi inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA
Caracteristicas:
Módulo IGBT El transistor de potencia CM150DU-24F - Mitsubishi módulo IGBT Transistor http://uscomponent.blogspot.com/2016/10/different-generation-of-igbts-and.html
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